关于发布宽禁带半导体超越照明材料与技术全国重点实验室2026年度校内开放课题申请通知
各学院、各科研单位:
为对接国家半导体电子器件重大战略与地方产业需求,夯实宽禁带半导体超越照明材料与技术全国重点实验室(以下简称“实验室”)基础研究及应用研究能力,激发校内科研人员创新活力,培育高水平科研成果、青年人才与交叉团队,推动实验室高质量建设,现启动2026年度校内开放课题申报工作。有关事项通知如下:
一、课题指南
2026年指南主要包括以下研究内容,申请人可围绕其中一个方面开展深化论证和研究工作:
1、宽禁带半导体光电子芯片
研究氧化镓、金刚石等新型宽禁带半导体材料光电特性;开展材料制备工艺、光电芯片设计与加工、宽禁带半导体光电芯片集成应用等领域的前沿探索或应用基础研究。
2、宽禁带半导体表征仪器与装备
开展宽禁带半导体材料、工艺、器件、系统表征与测试方法研究;探索新奇物性及机制测量表征新方法;开发自主可控多参量精密测量仪器。
二、申请条件
1、申请人资格:校内开放课题面向中北大学科研人员依托实验室开展相关研究工作,申请者须具有相关学科博士学位或副高级及以上专业技术职称、年龄在40周岁及以下,每位申请人限报1项。
2、合作要求:非实验室固定人员申报,须联合实验室固定人员共同申报,经所在单位同意后,可依据课题指南提交申请。
三、课题管理
1、资助说明:课题研究周期为1年。本年度拟资助开放课题5~10项,每项资助金额5~8万元。
2、结题要求:课题执行期满,课题负责人须按时撰写《课题结题报告》,提交全套材料用于实验室归档。实验室组织专家开展结题评审;结题评审不合格者,3 年内不得再次申报本实验室开放课题。
四、经费管理
开放课题经费严格按照《宽禁带半导体超越照明材料与技术全国重点实验室开放课题管理办法》和《山西省新一轮高等教育百亿工程专项资金管理办法》相关规定执行。
五、成果管理及评价
1、资助课题所取得的研究成果,归实验室和课题负责人所在单位共有;
2、资助课题结题时,须至少发表1篇以实验室为第一完成单位的SCI二区以上收录论文。实验室名称为:宽禁带半导体超越照明材料与技术全国重点实验室(中北大学)(This project is supported by State Key Laboratory of Widegap Semiconductor Optoelectronic Materials and Technologies,North University of China。)
3、资助课题取得的研究成果,均须标注“宽禁带半导体超越照明材料与技术全国重点实验室课题资助【英文为This project is supported by State Key Laboratory of Widegap Semiconductor Optoelectronic Materials and Technologies(NO:XX)】”。未按以上方式标注的,验收时不予认定为课题成果。
六、申报时间及报送要求
1、申报时间:申请书受理截止时间为2026年10月10日。
2、报送要求:《实验室校内开放课题申请书》(见附件)纸质版一式三份提交至宽禁带半导体超越照明材料与技术全国重点实验室大楼417室;电子稿(word版、签字盖章后的pdf扫描件)发送至邮箱20150134@nuc.edu.cn。
3、联系方式:赵老师 15234102627。
宽禁带半导体超越照明材料与技术全国重点实验室
2026年9月23日
- 附件【实验室校内开放课题申请书.doc】已下载次







